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红外LED芯片深度评测:机能可否堪当年夜任

文章来源:亚博手机网页版官方网站  作者:亚博手机网页版官方网站  发布日期:2020-02-28  浏览次数:482

  LED已不单单知足在通用照明市场的份额,跟着下流对一些非凡细分利用市场的存眷度晋升,部门LED芯片厂商最先针对紫外、红外等范畴市场结构,并延续推陈出新。也正由于此,笔者接下来将最先把更多眼光投向这一新兴利用范畴,并针对开辟利用产物推出更多系列评测。

  晶元光电延续热推的型号ES-SASFPN42D红外芯片产物,曾“创下全球发光效力最高的尝试室记载”而激发存眷,比来我们拿到20个该型号样品,为一探讨竟,我们将样品纳入这一期的测试与评估。并特殊约请佛山市中国香港科技年夜学LED-FPD工程手艺研究开辟中间作为第三方检测机构对样品参数和机能进行检测。

  样品初始为红外芯片裸晶状况,尺寸42milX42mil,厚度6.7mil,为垂直布局芯片,上概况焊点和下概况均为镀金,如图1所示。

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图1 芯片外不雅

  此次尝试室评测是基在将该款芯片封装到5050支架长进行机能测试,可以看到如图2所示。

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图2 芯片封装在5050支架

  根基光色电机能

  起首,操纵远方光谱阐发系统和0.3m积分球(图3),并随机抽取5颗样品对该款样品进行了光色电参数根基测试,其测试成果如表1所示。

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图3 远方光谱阐发系统和0.3m积分球

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表1 根基光色电参数(@350mA)

  随机拔取的5颗样品在350mA电流状况下,输出的平均辐射功率为316.4mW,电光转换效力为61.00%,平均峰值波长为858.9nm,半波宽为35.5nm。

  根据以往测试成果和经验来看,一样操作前提下,一般红外芯片电光转换结果大要保持在50%摆布,差不多超出跨越约11%,也就是说,耗损划一电功率的环境下,可以供给较传统芯片更高的亮度输出。在一些高红外照度需求的行业,这在必然水平上可觉得缔造更高效力的红外照明解决方案供给根本。

  在表示LED光谱能量散布时我们常以峰值波长和光谱半波宽来作为主要参照。一般由GaAs材料制得的红外LED在波长散布上较着要比其他化合物种类、布局制成的LED要宽,样品测得平均峰值波长858.9nm,一般认为,850-950nm规模已属在长波长红外光,与此前一向在受波长宽幅掣肘的传统红外芯片对照来看,确切有不小的前进。从峰值波长曲线对应的半波宽平均值为35.5nm,可以看出光谱宽度仍是比力窄的,申明在发光色彩上比力光鲜纯净,十分清楚。

  伏安特征曲线

  随机抽取5个样品进行伏安特征测试,成果如图4所示。

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图4 伏安特征曲线

  LED的机能可用其伏安特征来描写。图中曲线反应了电压与电流转变的关系,在施加正向电压较小时,电流转变也很小,几近为零,当跨越1.2V时,跟着电压升高,电流敏捷增年夜,转变幅度加年夜,呈指数曲线关系,到达1.5V电压状况下,工作电流到达350mA。

  当跨越“死区电压”以后,电压转变很小的环境下,电流转变很年夜。业界一般认为,年夜功率LED工作电流为350mA,在需要进行恒流电路供电的状况下应当斟酌LED的过电流问题。固然,从曲线来看,样品在必然电压规模内,电流处在工作规模内,这对LED的下降功耗和削减老化周期具有相当意义。

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